高性能元器件cm1000ha-尊龙凯时app

igbt的主要参数：集电极电流icm：表征igbt的电流容量，分为直流条件下的ic和1ms脉冲条件下的icp。集电极-发射极电压uces：表征igbt集电极-发射极的耐压能力。目前igbt耐压等级有600v、1000v、1200v、1400v、1700v、3300v。栅极-发射极击穿电压ugem：表征igbt栅极-发射极之间能承受的电压，其值一般为±20v。栅极-发射极开启电压uge（th）：指igbt器件在一定的集电极-发射极电压uce下，流过一定的集电极电流ic时的最小开栅电压。当栅源电压等于开启电压uge（th）时，igbt开始导通。输入电容cies：指igbt在一定的集电极-发射极电压uce和栅极-发射极电压uge=0下，栅极-发射极之间的电容，表征栅极驱动瞬态电流特征。

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