全新原装 插件三极管 icl8069 icl8069dczr pmic-尊龙凯时app

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规格信息：
封装/外壳：d2pak
fet 类型：p 沟道
技术：mosfet（金属氧化物）
漏源电压（vdss）：55v
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）：42a（tc）
驱动电压（ rds on，最小 rds on）：10v
不同 id，vgs 时的 rds on（值）：20 毫欧 @ 42a，10v
不同 id 时的 vgs（th）（值）：4v @ 250µa
不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）：180nc @ 10v
vgs（值）：±20v
不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）：3500pf @ 25v
功率耗散（值）：170w（tc）
工作温度：-55°c ~ 150°c（tj）
安装类型：表面贴装
系列：hexfet®
fet类型：p 沟道
电流-连续漏极（id）（25°c时）：42a（tc）
驱动电压（rdson，最小rdson）：10v
不同id时的vgs（th）（值）：4v @ 250µa
不同vgs时的栅极电荷 （qg）（值）：180nc @ 10v
不同vds时的输入电容（ciss）（值）：3500pf @ 25v
不同 id，vgs时的 rdson（值）：20 毫欧 @ 42a，10v
封装形式package：d2pak
极性polarity：p-ch
漏源极击穿电压vdss：55v
连续漏极电流id：74a
供应商器件封装：d2pak
电压，耦合至栅极电荷（qg）（）@ vgs：10v
电压，耦合至输入电容（ciss）（） @ vds：25v

无铅情况/rohs：无铅/符合rohs